博彩平台

博彩平台岳麓学者

博彩平台

张屹 Professor

博彩平台
团队成员
研究方向
科研项目
科研成果
学术动态
团队文化

Brittle-ductile transition mechanism during grinding 4H-SiC wafer considering laminated structure

发布时间:2024年12月27日

Brittle-ductile transition mechanism during grinding 4H-SiC wafer considering laminated structure

上一篇：Interface failure behavior and mechanisms of 4H-SiC wafer with alloy backside layer caused by different dicing technologies

博彩平台-博彩平台排名榜版权所有 ©2018

通讯地址：湖南长沙岳麓山邮编：410082 行政办：0731-88822825 教学办：0731-88822826 学工办：0731-88823120

仪器共享平台意见反馈电话：0731-88821252 邮箱：[email protected]